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Home/ Groups/ uC11686_2012-1_ - Memorias & instrucciones
Alberto Morales

Memorias FLASH - 1 views

  • Todos estamos familiarizados con el termino “memoria” aplicado al entorno informático, y generalmente asociamos esta palabra con las siglas “ROM” o “RAM”. Sin embargo, no solo de ROM o RAM vive el hombre, y nuevos tipos de memorias se han hecho populares en los dispositivos de consumo.
    • Alberto Morales
       
      aplicaciones actuales de las memorias tipo FLASH.
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    Faltó la captura y/o sticky note.
Alberto Morales

MEMORIA USB - TIPOS DE MEMORIAS - DIGITALES II - 1 views

  • Estas memorias se han convertido en el sistema de almacenamiento y transporte personal de datos más utilizado, desplazando en este uso a los tradicionales disquetes, y a los CD
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    Faltó la captura y/o sticky note.
Neiva Gomez

MEMORIAS_ - 3 views

  • terminales de DIRECCION
    • Alan Robledo
       
      De esta forma la memoria entiende en que localidad se tiene que guardar la informacion
  • RAM ORGANIZADA EN BITS
  • 32-Word x 8-Bit Static RAM
    • Alan Robledo
       
      Basicamente, esas son las terminales con las que cuenta una memoria RAM, terminales de lectura y escritura, alimentacion, y modos de operacion
  • ...27 more annotations...
  • Una parte importantísima en la mayoría de los sistemas digitales es la dedicada a contener la información que está tratando dicho sistema.  Los datos e instrucciones del programa de un sistema microcomputador son almacenados en la memoria. Cada "celda" de la memoria puede almacenar un bit, estando las memorias constituidas por varios miles de estas celdas. El conjunto de celdas en las que se almacena una palabra se llama "Posición de memoria"
  • Se han desarrollado numerosos sistemas capaces de almacenar o memorizar una información digital. Todos ellos, persiguen como objetivo conseguir:  Alta velocidad  Bajo precio  Gran capacidad de almacenamiento  Bajo consumo
  • Tiempo de escritura  Es el tiempo que transcurre entre el momento en que se presenta la información a almacenar en la memoria y el momento en que la información queda realmente registrada. 
  • Tiempo de lectura  Es el que transcurre entre la aplicación de la orden de lectura, y el momento en que la información está disponible en la salid
  • Tiempo de acceso  Es a menudo, la media de los dos tiempos de lectura y escritura definidos anteriormente.  Es la medida del tiempo transcurrido desde que se solicita un dato a la unidad de memoria hasta que esta lo entrega
  • Tiempo de ciclo  Después de una operación de lectura o escritura, es posible que la memoria necesite un tiempo de reinscripción (memorias de núcleos de ferrita, por ejemplo), o de recuperación. El tiempo de ciclo es entonces la suma de este tiempo y del tiempo de acceso.  También denominado ciclo de memoria, es el tiempo transcurrido desde que se solicita un dato a la memoria hasta que ésta se halla en disposición de efectuar una nueva operación de lectura o escritura
  • Acceso aleatorio  Una memoria es de acceso aleatorio cuando el tiempo de acceso a cualquier posición de memoria es siempre el mismo
  • Cadencia de transferencia  Es la velocidad
  • Capacidad  Es el número de palabras o de bits que la memoria puede almacenar. Se denomina también volumen. 
  • Densidad de información  Es el número de informaciones por unidad de volumen físico
  • Volatilidad  Es el defecto de una memoria que pierde la información almacenada, si se produce un corte de alimentación
    • Neiva Gomez
       
      En esta sección de la informacion se definen las características importantes de una memoria como es el tiempo de escritura,tiempo de lectura,tiempo de acceso,tiempo de ciclo,acceso aleatorio,capacidad, volátil y su definición correspondiente
    • Jorge E Loya H
       
      El tema del que le correspondía recopilar información únicamente es "terminales de una memoria", pero usted buscó además sobre "memorias" en general, lo cual no se le había solicitado.
    • Neiva Gomez
       
      Definición de celda y Posición de Memoria 
    • Neiva Gomez
       
      Objeteivos de una memoria: Alta velocidad Bajo Precio Gran Capacidad de Almacenamiento Bajo Consumo
  • CLASIFICACION GENERAL  Las memorias pueden clasificarse atendiendo a diversos parámetros: Por el modo de acceso:  Acceso Aleatorio (RAM)  Acceso Secuencial  Asociativas  Por el modo de almacenamiento:  Volátiles   No volátiles  Por el tipo de soporte  Semiconductoras  Magnéticas  De papel  Por su función o jerarquía  Tampón o borrador: (LIFO,FIFO)  Central o Principal  De masas
    • Neiva Gomez
       
      Clasificacion General de una memoria 1. Por el modo de ACCESO 2.Por el modo de ALMACENAMIENTO 3.Por el tipo de Soporte  4.Por Función o Jerarquía
  • MEMORIAS SEMICONDUCTORAS. CLASIFICACION  Existen una gran variedad de memorias de tipo semiconductor, tanto en tecnología bipolar como MOS  Las clasificaremos atendiendo al modo de acceso como característica principal, subdividiéndolas en la forma de almacenamiento y por último en la tecnología empleada. 
    • Neiva Gomez
       
      Clasificación de Memorias Semiconductoras. Existe una gran variedad de tecnologías para realizar la construcción de una memoria tanto Bipolar como MOS 
  • na "memoria RAM semiconductora", es una memoria de acceso aleatorio y que permite leer o escribir indist
  • intamente, una información sobre ella.
    • Neiva Gomez
       
      TERMINALES DE UNA MEMORIA Una memoria RAM semiconductora es una memoria de acceso aleatorio  y permite leer o escribir informacion sobre ella
  • Las entradas de control C y R/W permiten inhibir la memoria y leer o escribir (Read-Write) respectivamente.   
    • Neiva Gomez
       
      Estas terminales son las de Control de una memoria que se llaman C y R/W.Y deciden que accion realizara la meemoria si leer o escribir
    • Neiva Gomez
       
      Su funcionamiento es la siguiente es 1.En las terminales de dirección  la combinacion adecuada a la célula de memoria Operar. Para el caso de lectura en la memoria  se  debe de poner R/W a 0 logico y por ultimo validar el proceso con C= 1 lógico. En el caso de escritura ademas de la dirección adecuada es preciso situar en las terminales de entrada de datos el dato a almacenar o escribir .AHora R/W deberá ponerse a 1 lógico .Por ultimo validar la operación con c= LÓGICO LA INFORMACIÓN ALA ENTRADA DE DATOS QUEDARA REGISTRADA EN LA DIRECCION DE MEMORIA INDICADA
  • CS    AUTORIZACION DE   FUNCIONAMIENTO
  • Nos referiremos a continuación a modelos reales de memoria de lectura/escritura. Para cada uno de estos integrados se dan sus características básicas más importantes, asi como su esquema de bloques y relación de patillas.  La primera característica de cada una de ellas es su organización de almacenamiento o número de palabras de "n" bits que memoriza, extremo importante puesto que especificando su capacidad podemos deducir el número de líneas de direcciones y datos que acceden a la memoria en cuestión.
    • Neiva Gomez
       
      Hay una relación entre el numero de palabras de "n" bit que memoriza (capacidad) una memoria con el numero de lineas de direcciones  de si misma
  • tipos de líneas:  A0-An: entradas de direcionamiento.  D0-Dn: entrada/salida de datos  R/W : contro lectura/escritura.  CS0-CSn: selección de chip 
    • Neiva Gomez
       
      Tipos de lineas de una memoria  que son las terminales de una memorias por la cual entran datos , se diseccionan. salen datos de la memoria, y controlan la acción de la memoria
  • Las líneas de control son dos:     CS y WE
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    Una parte importantísima en la mayoría de los sistemas digitales es la dedicada a contener la información que está tratando dicho sistema.
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    Describe el funcionamiento de una memoria ,asi como los tipos de memorias y su clasificacion .A  si susecivamente las terminales principales de una memoria
Ruben Garcia

DRAM, tipos y caractericas de la DRAM - 4 views

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    Es la memoria dinca de acceso aleatorio cuyo acro corresponde a su nombre en ingl Dynamic Random Access Memory. Tiene una capacidad de retencie datos muy corta en tiempo, razor la cual requiere de circuiterpara refrescar el contenido almacenado en ella cada determinado tiempo.
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    Faltó el subrayado, la sticky note y la captura. Faltó la segunda aportación.
Hector Villalobos

MEMORIA SRAM - 1 views

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    La memoria SRAM es un dispositivo muy utilizado en ordenadores, en este sentido la ventaja es que el tiempo de acceso a datos por medio de esta memoria es menor en comparacion con la DRAM. En este link se aborda este tema, ademas de las memorias de solo lectura, aplicaciones, entre otras cosas.
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    Faltó el subrayado, la sticky note y la captura.
Hector Villalobos

Tecnologías de fabricación de memorias - 2 views

  • La DRAM está constituida por conjuntos de transistor-condensador, y es el estado cargado/descargado de este condensador, el que representa los bits individuales 1 o 0.  La volatilidad se debe precisamente a que los condensadores tienden a perder la carga.
    • Hector Villalobos
       
      a diferencia de las memorias SRAM, que estan consttruidas a base de transistores.
  • La SRAM es hasta 30 veces más grande que una DRAM equiparable, y consecuentemente más costosa.
    • Hector Villalobos
       
      La memoria SRAM tiene un tiempo de acceso de 10 ns mientras que las memoria DRAM tiene un tiempo de acceso de 60 ns
  • La memoria estática
    • Hector Villalobos
       
      Cuando decimos "estatica" es debido a que retienen la información durante su estado de encendido (SRAM), mientras que en el caso de las DRAM es necesario refrescar la memoria periódicamente para conservar los datos .
  • ...1 more annotation...
  • las dinámicas tienen la característica adicional de que deben ser "refrescadas" constantemente. Esto significa que una vez escrita en ellas la información, la pierden rápidamente. Por lo que debe utilizarse un sistema (de refresco) que lea el contenido y vuelva a escribirlo.
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    Faltó la captura / sticky note.
Elizabeth Covarrubias Delval

La memoria SRAM - Memoria Caché , características y capacidades .:: www.infor... - 5 views

  • a) SRAM proviene de ("Static Read Aleatory Memory"), lo que traducido significa memoria estática de acceso aleatorio.
  • La característica mas importante de la memoria SRAM es que por las propiedades electrónicas del transistor, este no necesita estarse cargando constantemente de electricidad
  • por ello tienden a ser memorias sumamente rápidas y también costosas
  • ...1 more annotation...
  • Memoria Caché: es sinónimo de SRAM
    • Hector Villalobos
       
      El tiempo de acceso a una memoria SRAM es de 10 nanosegundos, mientras que para una RAM es de 60 nanosegundos.
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    En este texto se aborda el tema de la memoria SRAM, ademas de aplicaciones e informacion basica que permite conocer caracteristicas de la misma.
  • ...1 more comment...
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    informacion sobre la memoria SRAM
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    a) SRAM proviene de ("Static Read Aleatory Memory"), lo que traducido significa memoria estática de acceso aleatorio. Se trata de una memoria RAM que tiene la característica de estar construida a base de (a diferencia de la memoria DRAM que la mayoría utilizamos en las computadoras, la cuál esta fabricada a base de ).
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    Faltó el subrayado, la sticky note y la captura.
Hermann Zuniga

NAND_Evolution_0812.pdf (application/pdf Objeto) - 3 views

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    Artículo sobre memories flash
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    Faltó la captura y la sticky note.
Hermann Zuniga

Flash memory Definition from PC Magazine Encyclopedia - 4 views

  • A very popular non-volatile, rewritable memory chip used for storage. Extremely durable, flash memory is used in myriad portable devices, including digital cameras, digital music players, smartphones and tablet computers. USB drives "are" flash memory chips, and the solid state drives (SSDs), which are slowly replacing hard disks in laptops and desktop computers, are also flash memory chips.
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    Articulo sobre la evolución de la memorias flash
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    Faltó la captura y la sticky note.
Hermann Zuniga

Tarjeta de memoria (memoria Flash) | Kioskea.net - 3 views

  • La memoria Flash es un tipo de memoria informática basada en semiconductores, no volátil y reescribible Esto significa que posee muchas de las características de la memoria RAM, excepto que sus datos no se eliminan al apagarse el ordenador. La memoria Flash almacena porciones de datos en las celdas de memoria, pero esos datos permanecen almacenados aunque se produzca un corte de energía. Debido a su alta velocidad, durabilidad y bajo consumo de energía, la memoria flash resulta ideal para muchos usos, como por ejemplo en cámaras digitales, teléfonos móviles, impresoras, PDA, ordenadores laptop y dispositivos que puedan almacenar y reproducir sonido, como los reproductores de MP3. Además, este tipo de memoria no tiene partes móviles, lo que la hace más resistente a eventuales golpes.
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    breve introducción
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    Faltó la captura y la sticky note.
Faustino Gonzalez

MEMORIA FLASH - 0 views

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    Proyecto ingeniatic, plataforma para la difusión de las Tecnologías de la Información y la Comunicación La memoria flash es una manera desarrollada de la memoria EEPROM que permite que múltiples posiciones de memoria sean escritas o borradas en una misma operación de programación mediante impulsos eléctricos, frente a las anteriores que sólo permite escribir o borrar una única celda cada vez EPROM.
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    Faltó la sticky note, la captura y el subrayado. Tampoco agregó los tres tags a la página.
Faustino Gonzalez

Grafeno para obtener memorias flash aún más pequeñas - 0 views

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    Hoy en día, los dispositivos ofrecen a los usuarios cada vez mayor capacidad de almacenamiento en un tamaño que se va reduciendo pero, quizás, la tecnología actual esté llegando a sus límites.
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    Faltó la sticky note, la captura y el subrayado. Tampoco agregó los tres tags a la página. Aunque la página está relacionada con el tema, no habla específicamente de la memoria FLASH.
Juan Rivera

Funcionamiento de Memorias - 2 views

  • Memoria RAM estática Este tipo de memoria conocida como SRAM (Static Random Access Memory) se compone de celdas conformadas por flip-flops construidos generalmente con transistores MOSFET, aunque también existen algunas memorias pequeñas construidas con transistores bipolares.
  • SRAM de Ráfaga
  • permite acceder de forma mas rápida a la información en memoria.
  • ...4 more annotations...
  • Memoria RAM dinámica
  • la memoria estática se compone de celdas de memoria construidas con condensadores. Las celdas de memoria son de fabricación más sencillas en comparación a las celdas a base de transistores
  • La operación de la celda es similar a la de un interruptor, cuando el estado en la fila se encuentra en alto, el transistor entra en saturación y el dato presente en el bus interno de la memoria (columna) se almacena en el condensador, durante una operación de escritura y se extrae en una operación de lectura. El inconveniente que tiene este tipo de memorias consiste en que hay que recargar la información almacenada en las celdas
    • Juan Rivera
       
      Aqui se muestra informacion referente a como funcionan las celdas de memoria
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    Aquí se muestra como funcionan las memorias de acceso aleatorio
Juan Rivera

Celdas de Memorias Variadas - 1 views

    • Juan Rivera
       
      En esta pagina se encontraran mas que nada descripciones de las celdas de memoria de algunos tipos de memoria en general
  • Memoria ROM de Máscara
  • Generalmente estas memorias utilizan transistores MOS para representar los dos estados lógicos (1 ó 0).
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  • Las celdas de memoria se organizan en grupos para formar registros del mismo tamaño y estos se ubican físicamente formando un arreglo, como el indicado en la figura 1.2
  • El proceso de programación es destructivo, es decir, que una vez grabada, es como si fuese una ROM normal. Para almacenar la información se emplean dos técnicas: por destrucción de fusible o por destrucción de unión. Programación de un PROM.gifComúnmente la información se programa o quema en las diferentes celdas de memoria aplicando la dirección en el bus de direcciones,
  • Cada transistor tiene una compuerta flotante de SiO2 (sin conexión eléctrica) que en estado Apariencia Fisica de una EPROM.jpgnormal se encuentra apagado y almacena un 1 lógico
  • Memoria EPROM
  • Memoria PROM
  • Las celdas de memoria en las EEPROM son similares a las celdas EPROM y la diferencia básica se encuentra en la capa aislante alrededor de cada compuesta flotante, la cual es más delgada y no es fotosensible.
  • La programación de estas memorias es similar a la programación de la EPROM, la cual se realiza por aplicación de una tensión de 21 Voltios a la compuerta aislada MOSFET de cada transistor, dejando de esta forma una carga eléctrica, que es suficiente para encender los transistores y almacenar la información. Por otro lado, el borrado de la memoria se efectúa aplicando tensiones negativas sobre las compuertas para liberar la carga eléctrica almacenada en ellas.
  • Memoria EPROM flash
  • Las celdas de memoria se encuentran constituidas por un transistor MOS de puerta apilada, el cual se forma con una puerta de control y una puerta aislada, tal como se indica en la figura 4.1. La compuerta aislada almacena carga eléctrica cuando se aplica una tensión lo suficientemente alta en la puerta de control. De la misma manera que la memoria EPROM, cuando hay carga eléctrica en la compuerta aislada, se almacena un 0, de lo contrario se almacena un 1.
Oswaldo Alfaro

SEDE BOGOTA DNSAV - 1 views

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    Capítulo 10: Memorias Aspectos Generales sobre Memorias Las unidades de memoria son módulos conformados por un conjunto de cerrojos o condensadores agrupados de tal forma que almacenan varias palabras binarias de n bits. Cada una de ellas tienen la capacidad de almacenar un bit de información (1 o 0), y se conocen con el nombre de celdas de memoria.
Oswaldo Alfaro

Las memorias de cambio de fase PCM, podrían comenzar a llegar en 2010 | Gigle... - 1 views

  • En este tipo de tecnología de almacenamiento, cada celda de memoria está compuesta por un pequeño fragmento de una aleación especial, capaz de cambiar sus características físicas y propiedades según el modo en que se calienta o enfría. Esta temperatura que cambia la fase de la aleación, es manipulada mediante la inyección de corriente eléctrica y el nivel de voltaje de esta, el momento de la inyección es lo que determina que fase cambiará su alineación. Gracias a que las células de memoria phase-change memory son más simples que las usadas en las memorias flash y su tecnología no tiene los mismos límites físicos que almacenamiento magnético, es posible alcanzar cantidades de almacenamiento bastante altas. Uno de los handicaps que presentaba este tipo de memorias, era hacer escalable la cantidad de corriente eléctrica que se utiliza para cambiar las fases en memorias de mayor densidad.
  • Las memorias PCM acrónimo de phase-change memory, combinan la velocidad de las memorias DRAM y la naturaleza no volátil de las memorias flash. Esta tecnología ha sido propuesta por primera vez en los años 70, y desde entonces es una tecnología estudiada con entusiasmo.
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    Las compañías Intel y Numonyx, han anunciado importantes avances que le permitirán apilar múltiples capas de memoria de cambio de fase, desarrollando un tipo de tecnología de memoria no volátil. Esta tecnología ya ha comenzado a denominarse por algunos como el Flash-killer, ya que podría desplazar a las memorias flash que usamos actualmente.
Oswaldo Alfaro

CELDA DE UNA MEMORIA - 4 views

  • iento de la memoria RAM
  • El acceso a los datos internos de la memoria viene determinado por el tamaño de sus celdas o elementos. Tal y como está estructurada, la memoria no ofrece acceso directo a cualquiera de sus bits, sino que es preciso primero obtener un byte y posteriormente acceder al bit pertinente. Los procesadores incluyen en su lenguaje máquina las instrucciones necesarias para poder manipular los bits de un byte. Si se quiere, por tanto cambiar un bit de un byte de memoria se debe leer el byte entero, utilizar instrucciones para cambiar su valor, y escribirlo de nuevo en memoria. Internamente la memoria está implementada por un conjunto de transistores diseñados de tal forma que pueden almacenar la información dada. La unidad responsable de almacenar un bit de información se denomina “celda”. Un chip de memoria no es más que un circuito que contiene un determinado número de celdas en cuyo interior se almacena un bit. Existen dos técnicas para el diseño de memoria: estática y dinámica. La memoria RAM estática o SRAM es un circuito que una vez que se escribe un dato en una de sus celdas lo mantiene intacto mientras el circuito reciba voltaje. En cuanto el voltaje desaparece, también lo hace la información. La celda de dicha memoria está compuesta por alrededor de seis transistores conectados de forma similar a un registro. El tiempo de lectura de una posición de memoria compuesta por ocho celdas suele ser del orden de decenas de nanosegundos (1 nanosegundo son 10-9 segundos).
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    La celda de memoria dinámica consta únicamente de un transistor y un condensador. Este último es el que almacena una carga, mientras que el transistor se utilizar para su carga y descarga. La celda de memoria dinámica almacena el valor 1 cuando el condensador está cargado, y cero cuando está descargado. El problema que presenta esta celda es que, a pesar de estar conectada continuamente a su alimentación, si el condensador almacena el valor 1 y no se realiza ninguna operación, su carga se degrada hasta alcanzar el valor 0. Es decir, la celda de esta memoria no es capaz de mantener el valor uno durante un tiempo arbitrario, sino que acaba perdiéndose. Pero, tal y como está diseñada la lógica de lectura, al leer una celda se refresca totalmente su valor, y por tanto se recupera la pérdida de carga que pudiera haberse producido. El tiempo que tarda una celda en perder su información es del orden de milisegundos (1 milisegundo son 10-3segundos).
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    Este comportamiento de las celdas puede parecer inútil para almacenar información, pero si el contenido se lee de forma periódica, la memoria dinámica se comporta de forma idéntica a la estática. Los circuitos de memoria dinámica incluyen la lógica necesaria para que sus celdas sean continuamente leídas independientemente de las operaciones de lectura y escritura realizadas por el procesador, de esta forma se garantiza que su contenido no se pierde. A esta operación se le conoce con el nombre de "refresco".
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    La mayoría de ordenadores utilizan memoria dinámica en su memoria principal y las principales razones para ello son el coste y el espacio. La celda de memoria dinámica con un único transistor y un condensador es aproximadamente la cuarta parte del tamaño de la celda de SRAM que consta de alrededor de seis transistores. Pero, además de ser más pequeña, el proceso de diseño de una celda DRAM tiene un coste mucho menor por lo que los chips de memoria de gran capacidad de almacenamiento se diseñan con memoria dinámica.
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    Autores: Abelardo Pardo En este capitulo se estudia el funcionamiento de la memoria RAM que utiliza el procesador para almacenar todos aquellos datos y código que precisa para la ejecución de un programa. También se estudia la técnica de la indirección por la que se manipulan direcciones de memoria que apuntan a otras direcciones en lugar de los propios datos.
Efren Castro

Memorias PROM - 0 views

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    Los dispositivos programables se definen como aquellos circuitos de propósito general que poseen una estructura interna que puede ser modificada por el usuario final (o a petición suya, por el fabricante) para implementar una amplia gama de aplicaciones. El primer dispositivo que cumplió estas características fue la memoria PROM, que puede realizar un comportamiento de circuito utilizando las líneas de direcciones como entradas y las de datos como salidas (implementa una tabla de verdad).
Neiva Gomez

Memorias Estáticas; RAM 6116, EPROM 2717 y EEPROM 2816 - 8 views

  • · A0-A10: Lineas de direcciones · E/S0-E/S7: Entrada y Salida de datos · CS Habilitador de la pastilla · OE Habilitador de salidas · WE Habilitador para la escritura · Vcc Voltaje de alimentación +5.0 Volts · GND Terminal de tierra 0.0 Volts
    • Alan Robledo
       
      A esto es a lo que me refiero con que tiene entradas, salidas, alimentacion y algunas terminales con funciones en especifico
    • Neiva Gomez
       
      Una memoria requiere de lineas de dirección  para identificar un registro de memoria  una  señal de chip select (CS) para  habilitar el chip y  señales de control para leer la memoria o escribir en ella
  • OPERACIÓN DE ESCRITURA
    • Alan Robledo
       
      Cada memoria tiene su propia forma de escritura borrado y lectura y es importante revisar la forma en que cada una realiza cada funcion antes de empezar a utilizarla
  • OPERACIÓN DE LECTURA
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  • OPERACIÓN DE LECTURA
  • MODO DE PROGRAMACIÓN
  • la terminal Vpp esta en alta tensión +25 Volts durante 3 modos y en +5 Volts en los otros dos modos de operación.  
    • Neiva Gomez
       
      Los diferentes tipos de memoria tiene un modo de operación (Escritura, Lectura y Borrado) un poco distinto a las demás, como se podrá observar en el documento, por eso la existencia de pequeñas variaciones en las terminales. POR TAL MOTIVO se tiene que prestar atención en su modo de operación y tiempos requeridos, puesto que se puede requerir voltajes elevados (25V) por un instante de tiempo, los cuales si no se tiene el debido cuidado se puede dañar a la memoria.
  • OPERACIÓN DE LECTURA
  • OPERACIÓN DE ESCRITURA
  • · PGM Condición de programación
  • · Vpp Voltaje de programación
  • A0-A10: Lineas de direcciones
    • Neiva Gomez
       
      Estas lineas se encargan de direccionar la informacion dentro de la memoria es decir la ubicar en la posicion que deseemos
  • · D0-D7: Salida de datos
    • Neiva Gomez
       
      En estas lineas son donde la información se obtiene dentro de la memoria
  • Vcc Voltaje de alimentación +5.0 Volts · Vss Terminal de tierra 0.0 Volts
    • Neiva Gomez
       
      Por lo regular las memorias  tiene en común este tipo de terminales ya que son la de alimentación
  •  
    mas sobre terminales
  •  
    Terminales de la Memoria y sus funciones:   A0-A# (Lineas de Direcciones)   I/O0-I/O# (entrada y Salida de Datos)   CS o (CE)' (Habilitador de la Pastilla o Chip)   OE (habilitador de salidas)   WE (Habilitador para la escritura)   PGM (Condicion de Programacion)   Vcc (Voltaje de Alimentacion 5V)   Vpp (Voltaje de Programacion)   GND (Tierra 0V)   NC (No hay conexión)
Mayra Pillado

EEPROM - 0 views

  •  
    (lectrically Erasable Programmable ROM) A rewritable memory chip that holds its content without power. EEPROMs are bit or byte addressable at the write level, which means either the bit or byte must be erased before it can be re-written.
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